Samsung stellt weltweit erste 3D V-NAND-basiertes SSD für Enterprise-Anwendungen vor

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, stellte heute die erste SSD (Solid State Drive) auf Basis seiner industrieweit führenden 3D V-NAND-Technologie vor. Samsung kündigte seine neue SSD, entwickelt für den Einsatz in Enterprise-Servern, in einer Keynote auf dem Flash Memory Summit 2013 an.

Foto: obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH

"Durch die Anwendung unseres 3D V-NAND, welches die erhebliche Hürde bei der Skalierung über die 10-nanometer (nm) Class* hinaus überwunden hat, bieten wir unseren weltweiten Kunden eine hohe Speicherdichte, eine außerordentliche Zuverlässigkeit, eine über 20 Prozent höhere Leistungsfähigkeit und eine Verbesserung im Energieverbrauch von über 40 Prozent", sagte E.S. Jung, Executive Vice President, Semiconductor R&D Center bei Samsung Electronics und Hauptredner auf dem Flash Memory Summit. "Als Pionier eines neuen Zeitalters der Speichertechnologie werden wir weiterhin differenzierte, 'Green Memory' Produkte und Lösungen für Server sowie für Mobilgeräte und den PC-Markt anbieten, um die Energieverschwendung zu reduzieren und neue Werte im Unternehmen und für die Endverbraucher zu schaffen."

Samsungs V-NAND SSD gibt es in 960 Gigabyte (GB) und 480 GB Versionen. Die 960 GB-Version erreicht das höchste Leistungsniveau und bietet eine über 20 Prozent höhere sequential und random Schreibgeschwindigkeit. Verwendet werden 64 Dies mit MLC 3D V-NAND Flash mit jeweils 128 Gigabit (Gb) Speicher mit einem 6 Gigabit pro Sekunde (Gbps) schnellen SATA-Schnittstellen-Controller. Die neue V-NAND SSD bietet auch 35.000 Programmlöschzyklen und wird in einem 2,5-Zoll-Formfaktor mit x, y und z-Höhen von 10 cm, 7 cm und 7 mm angeboten. Dies bietet Server-Herstellern mehr Flexibilität bei der Entwicklung und Skalierbarkeit.

Samsungs proprietäre 3D V-NAND-Technologie erreicht gegenüber dem planaren NAND-Flash der 20nm-Class* die doppelte Fertigungsproduktivität, unter Verwendung von zylinderförmigen 3D Charge Trap Flash Zellenstrukturen und vertikaler Interconnect-Prozesstechnologie zur Verbindung der 24 Schichten der 3D-Zellenmatrix.

Während seiner Rede betonte EVP E.S. Jung, "die 3D V-NAND wird grundlegende Innovation vorantreiben, die sich mit dem 'Digitalen Urknall' in der globalen IT-Industrie vergleichen lässt und zu einem wesentlichen Wachstum des Speichermarktes beitragen wird."

Samsung wird auch künftig V-NAND-Produkte der nächsten Generation vorstellen, die eine noch höhere Leistungsfähigkeit erreichen, um diverse Kundenanforderungen für NAND Flash-basiertes Speicherlösungen zu erfüllen. Der Kundefokus wird dabei auf großen Rechenzentren, die mit höheren Investitionen eine bessere Performance und Energieeffizienz realisieren können, bis hin zu PC-Anwendungen, die auf Kosteneffizienz und hohe Speicherdichte setzen, liegen, um so die Wettbewerbsfähigkeit von Samsung weiter zu stärken.

Samsung sagte, man habe Anfang des Monats mit der Produktion der neuen V-NAND SSDs begonnen.