Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des fortschrittlichsten DDR4 Memory für Enterprise Server in Rechenzentren der nächsten Generation begonnen.
Mit diesen leistungsstarken High-Density DDR4-Modulen kann das Unternehmen die Nachfrage nach innovativem DDR4 Memory für rasch wachsende, enorm große Rechenzentren und andere Enterprise-Server-Anwendungen optimal erfüllen.
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| Foto: obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH |
Die frühzeitige Verfügbarkeit von 4-Gigabit (Gb) DDR4 Memory, das in 20 nanometer (nm)-Class* Prozesstechnologie hergestellt wird, wird die Nachfrage nach Memory-Modulen mit 16-gigabyte (GB) und 32GB steigern. Bei herkömmlichen DRAMs sind 8GB-Module in 30nm-Class* Prozesstechnologie noch immer üblich.
"Der Einsatz von extrem schnellem DDR4 Memory in Serversystemen der nächsten Generation wird noch in diesem Jahr einen Schub hin zu fortschrittlichem 'Premium Memory' im ganzen Unternehmen auslösen", sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics. "Nachdem wir mit der rechtzeitigen Verfügbarkeit unseres 16GB DDR3 Memory zu einem früheren Zeitpunkt des Jahres Leistungsfähigkeit der Spitzenklasse auf den Markt gebracht haben, werden wir unser Angebot 2013 für den 'Premium' Servermarkt weiter ausbauen und uns jetzt mit 32GB DDR4 auf Memory mit noch größerer Speicherkapazität und höherer Leistungsfähigkeit konzentrieren. Damit leisten wir einen wichtigen Beitrag für weiteres Wachstum auf dem 'Green IT' Markt im kommenden Jahr."
In Enterprise Servern der nächsten Generation sorgen schnellere DRAMs für eine höhere Leistungsfähigkeit auf Systemebene und reduzieren den Energieverbrauch wesentlich. Indem sie DDR4 Memory-Technologie möglichst frühzeitig einsetzen, können OEMs die Betriebskosten minimieren und die Leistungsfähigkeit maximieren, um einen besseren "Return on Investment" zu erzielen.
Der Produktionsbeginn von Samsungs 20nm-Class 4Gb DDR4 Memory folgt der Einführung von 50nm-Class* 2Gb DDR3 Memory im Jahr 2008. Als Höhepunkt ermöglicht dies den Übergang zu DDR4 für große Rechenzentren und andere Enterprise-Anwendungen in nur fünf Jahren. Das 4Gb-basierte DDR4 Memory hat die schnellste DRAM Datenübertragungsgeschwindigkeit von 2.667 Megabit/Sekunde - eine 1,25-fache Steigerung gegenüber 20nm-Class DDR3 Memory bei gleichzeitiger Reduzierung des Energieverbrauchs um über 30 Prozent.
Basierend auf Samsungs 20nm-Class DRAM Memory, ein 4Gb DRAM-Chip mit der weltweit höchsten Leistungsfähigkeit und den kleinsten Abmessungen, hat das Unternehmen jetzt das industrieweit größte Angebot an Produkten entwickelt, die auf Anwendungen von Servern bis hin zu Mobilgeräten zugeschnitten sind. Damit erhalten Kunden weltweit das umfangreichste Angebot fortschrittlichster und leistungsstarker "Green Memory" Lösungen mit geringem Energieverbrauch.
Samsung wird auch künftig die Entwicklung von "Green Memory" Produkten und Lösungen für die IT-Märkte vorantreiben. Mit innovativen Entwicklungskonzepten, ausgerichtet auf Systeme, Lösungen und Software, wird das Unternehmen seine "Green Memory" Strategie weiterhin verstärken und den Nutzen für die Kunden maximieren. Zugleich will der Anbieter den Markt für "Green IT" Produkte weiter ausdehnen.
